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松木ME4413D-G P溝道增強模式MOSFET管

全新包裝/原廠正品/量大價優/售后無憂

產品名稱:松木ME4413D-G P溝道增強模式MOSFET管

產品型號:ME4413D-G/ME4413D

代理品牌:臺灣松木

產品封裝:SOP8

交期時間:現貨一般當天發貨,預訂具體需電話詳情.

發貨貨倉:深圳/香港

熱門標簽:松木ME4413D-G/ME4413D,P溝道MOS管

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資料下載:松木ME4413D-G P溝道增強模式MOSFET管規格書

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  ME4413D / ME4413D-G,P溝道增強模式MOSFET,ESD保護

  ME4413D-G一般說明:

  ME4413D是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度該工藝經過特別設計,可最大程度地降低導通電阻。 這些設備特別適合于低電壓應用,例如手機和筆記本電腦計算機電源管理和其他電池供電的電路,它們需要使用非常小的外形表面安裝封裝來實現低的在線功率損耗。

  ME4413D-G特征:

  RDS(ON)≤13mΩ@VGS=-4.5V

  RDS(ON)≦17mΩ@VGS=-2.5V

  RDS(ON)≦26mΩ@VGS=-1.8V

  超高密度電池設計,可實現極低的RDS(ON)

  靜電防護

  ME4413D-G應用領域:

  筆記本中的電源管理

  便攜式設備

  電池供電系統


  ME4413D/ME4413D,P-Channel Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection

  GENERAL DESCRIPTION

  The ME4413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook

  computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

  FEATURES

  RDS(ON) ≦13m?@VGS=-4.5V

  RDS(ON) ≦17m?@VGS=-2.5V

  RDS(ON) ≦26m?@VGS=-1.8V

  Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

  ESD protection

  APPLICATIONS

  Power Management in Note book

  Portable Equipment

  Battery Powered System



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