產品名稱：臺灣松木N溝道 30V(D-S)MOSFET，ESD保護
產品型號：ME2306D/ME2306D-G
代理品牌：臺灣松木
產品封裝：SOT-23
交期時間：現貨一般當天交貨，具體需電話詳情.
發貨貨倉：深圳/香港
熱門標簽：P溝道ME2306D，松木ME2306D-G，松木mos
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臺灣松木N溝道ME2306D/G 低壓mos管
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產品概況
產品特點
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ME2306D一般說明
ME2306D 是 N 溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS 溝槽技術生產。 這種高密度工藝特別適用于最大限度地減少導通電阻。 這些器件特別適用于低電壓應用，例如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理以及其他需要高側開關和低在線功率損耗的電池供電電路，這些電路采用非常小的外形表面貼裝封裝。
ME2306D應用
● 筆記本電源管理
● 便攜設備
● 負載開關
GENERAL DESCRIPTION
The ME2306D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Load Switch
特征
● RDS(ON)≦31mΩ@VGS=10V
● RDS(ON)≦52mΩ@VGS=4.5V
● ESD 保護
● 超高密度電池設計，RDS(ON) 極低
● 出色的導通電阻和最大直流電流能力
FEATURES
● RDS(ON)≦31m?@VGS=10V
● RDS(ON)≦52m?@VGS=4.5V
● ESD Protected
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
標簽：
