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捷捷微電發布先進PowerJE?10x12封裝及國內領先SGT MOSFET，通過一千次溫度循環可靠性測試
2022年1月26日，捷捷微電自主研發的高功率薄型封裝PowerJE?10x12已進入規?；慨a。此封裝符合JEDEC標準MO-299B，同時兼容國際大廠如Infineon及Onsemi的同類TO-LeadLess封裝，并通過嚴苛的一千次溫度循環(-55℃~150℃)可靠性測試。相比傳統的TO-263-3L封裝，面積少了20%、高度降低了45%。在大幅度減少占用空間的同時，有效的提高功率密度，適合極為緊湊的終端設計。熱阻表現優越而至散熱效果更好，進一步保證器件的長期可靠性。
因應客戶對性能及BOM(billofmaterial)空間的需求日漸提升，捷捷微電同時推出N溝道含自主知識產權JSFET?系列的JMSH1001ATL(VDS_Max=100V)和JMSH1504ATL(VDS_Max=150V)，兩者均采用先進PowerJE?10x12封裝。在VGS＝10V條件下,器件的RDS(ON)_Typ及FOM測量值分別是1.3mΩ/202(JMSH1001ATL)及3.3mΩ/290(JMSH1504ATL)。其中JMSH1001ATL的電氣特性，更為國內領先水平、與歐美日同類產品不遑多讓。此外，一流的線性模式/安全工作區(SOA)特性，使器件在大電流的工作狀態下，仍能實現安全可靠的運作。極低的導通電阻有助于提高運行效能，降低系統成本，并延長器件的使用壽命。這兩款產品已經廣泛應用于電動工具、輕型電動車輛、光伏儲能逆變器、5G通信及PoE++等終端。
捷捷微電功率分立器件市場總監樊君說：“JMSH1001ATL結合捷捷微電研發團隊設計的芯片、由通過IATF16949認證的晶圓廠制造、再經捷捷微電車規級先進封裝產線實現PowerJE?10x12組裝測試，電器特性比肩國際一線半導體IDM大廠，有效實現了同類產品的國產化高端突破。該器件不僅具有超優的熱導性能、低封裝寄生電感效應，且可處理高達375A的電流，特別適用于那些在BOM(BillofMaterial)空間、電氣性能和器件長期可靠性皆同樣有高需求的應用?！?/p>
