輸出功率從 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充協議 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一個或多個 USB Type-A 及 Type-C 輸出接口的快充充電器日益普遍。它們可以一物多用，同時為智能手機、平板、智能手表及筆記本電腦等萬物互聯數字化終端里面的鋰電池快速充電。采用第三代半導體功率器件（氮化鎵 D/E-mode HEMT）的設計，體積小巧以及使用時溫度不會燙手，由于因近年多家世界排名前列的智能手機 OEM 不把充電器隨著新款手機一起標配而形成曲棍球棒效應，使得這類小巧的快充充電器成為市場主流。

市場上的快充充電器，常用的交直流電源轉換拓撲是 Flyback 及 LLC。Flyback 拓撲常見于功率比較小的設計，LLC 拓撲則常見于功率較大及對交直流電源轉換效率要求較高的設計。因為 BOM 相對 LLC 拓撲比較簡單，ACF-Flyback 拓撲也開始被中/小功率的設計采用，特別是初級使用高壓氮化鎵 HEMT 的設計。無論是那種拓撲，快充充電器的內部結構示意圖大概如上：

針對快充充電器的成用，捷捷微電 能提供完整的分立器件解決方案。比如，AC 輸入端防浪涌的 MOV、TVS、鉗制變壓器漏感而對原邊的高壓 MOSFETs VDS_Max 產生過壓的快恢復整流管、原邊 PFC (75W 以上的設計) 和匹配 PWM 的高壓 MOSFET、副邊同步整流中/低壓 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低壓 MOSFETs 及 ESD 保護等。

不論在原邊使用的是傳統的超結高壓 MOSFET、或是日益受電路設計工程師及消費者追捧的氮化鎵 D/E-mode HEMT，在拓撲的副邊，捷捷微電先進 JHFET^? 技術平臺超結 (super-junction) 的高壓 MOSFETs 在原邊開關、先進 JSFET^? 技術平臺的中/低壓 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C^? 端口電流輸出開關等位置，都能提供穩定可靠而高功效的運作。

建立在 JHFET 技術平臺的 650VDS_Max SJ N-MOSFETs，導通阻抗 RDS(ON) 低至 169mΩ、Qg 低至 9.7nC、Ciss 低至 333pF，所有產品均百分百通過 UIS 測試。建立在 JSFET 技術平臺的 30 ~ 150 VDS_Max SGT N-MOSFETs，導通阻抗 RDS(ON) 低至 1.2mΩ、Qg 低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有產品均百分百通過 UIS 測試。憑借極低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和卓越的安全操作區域 (SOA) 等，這些功率器件能更有效地解決在終端應用中存在的 軟/硬開關、電感負載、EMI 等難題。能夠有如此突出的靜態和動態電氣特性，是因為捷捷微電的自有知識產權 JSFET 及 JHFET 技術平臺，各項工藝參數早已躋身國際一流水平。